全反射X射線熒光(TXRF)對(duì)碳化硅等難溶樣品檢測(cè)的優(yōu)點(diǎn)

常見難溶樣品如：碳化硼、碳化硅、氮化硼在磨料、特種刀具、核工業(yè)等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。其雜質(zhì)元素檢測(cè)通常采用ICP-OES、GD-MS、DCA、ICP-MS等設(shè)備，部分標(biāo)準(zhǔn)如下：

GB/T 3045-2017 普通磨料 碳化硅化學(xué)分析方法  濕法消解ICP-OES

GB/T 34003-2017 氮化硼中雜質(zhì)元素測(cè)定方法  微波消解ICP-OES

ASTM C791 核級(jí)碳化硼的化學(xué)、質(zhì)譜及光譜分析標(biāo)準(zhǔn)方法  高壓消解/堿熔ICP-OES/MS法

JB/T 7993-2012 碳化硼化學(xué)分析方法 消解后分光光度法

?  常規(guī)方法所面臨的難點(diǎn)

ICP-OES及ICP-MS需要濕法消解或微波消解，帶來如下問題：樣品稀釋、定容后，因稀釋造成檢出限變差、費(fèi)時(shí)、大量化學(xué)試劑、潛在污染風(fēng)險(xiǎn)；

GDMS及DCA設(shè)備價(jià)格高，操作復(fù)雜。

?  使用TXRF檢測(cè)的優(yōu)點(diǎn)

采用懸濁法、加入內(nèi)標(biāo)后直接上機(jī)檢測(cè)；

大幅縮短前處理時(shí)間，僅需干燥、混勻等操作；

無需使用大量化學(xué)試劑；

簡(jiǎn)化檢測(cè)流程：采用內(nèi)標(biāo)法定量，無需繪制標(biāo)準(zhǔn)曲線；

在線富集可進(jìn)一步提升檢出限。

?  TXRF的檢測(cè)流程